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教授 大下祥雄(Yoshio Ohshita / オオシタ ヨシオ)

業績

プロフィール

学位 工学博士  
生年月日 年齢
所属研究室 半導体
研究分野 半導体の物性評価解析
URL
最終学歴 名古屋大学工学部電子工学科大学院博士前期課程(1985年)
職歴 名古屋大学大学院工学研究科 非常勤講師 (2012年~2012年)
愛知学院大学 非常勤講師 (2012年~2012年)
豊田工業大学 教授 (2011年10月~現在)
愛知大学 非常勤講師 (2011年~2012年)
南山大学 非常勤講師 (2010年~2016年)
大阪大学大学院工学研究科 非常勤講師 (2010年~2011年)
広島大学ナノディバイス・システム研究センター 非常勤講師 (2001年~2003年)
豊田工業大学 助(准)教授 (2000年01月~2011年09月)
日本電気(株)シリコンシステム研究所 (1997年~1999年)
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 (1989年~1997年)
日本電気(株)基礎研究所 (1986年~1989年)
主な研究論文 ・T. Kamioka, Y. Hayashi, Y. Isogai, K. Nakamura, and Y. Ohshita, “Analysis of interface workfunction and process-induced damage of reactive-plasma deposited ITO/SiO2/Si stack”,AIP Advanced Vol. 7, pp. 095212(2017)
・Y. Ohshita, T. Kamioka, and K. Nakamura, “Technology trend of High Efficiency Crystalline Silicon Solar Cells”,AAPPS Vol. 27, No. 3, pp. 2(2017)
・Y. Ohshita, K. Ikeda, H. Suzuki, H. Machida, H. Sudoh, T. Tanaka, T. Honda, M. Inagaki, and M. Yamaguchi, “N-H related defects in GaAsN grown through chemical beam epitaxy”,Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 53, pp. 031001(2014)
・Y. Hayashi, D. Li, A. Ogura and Y. Ohshita, “Role of i-aSi: H layers in aSi:H/cSi Heterojunction Solar Cells”, IEEE J. of Photovoltaics Vol. 3, No. 4, pp. 1149(2013)
・T. Sasaki, H. Suzuki, M. Takahashi, Y. Ohshita, I. Kamiya, and M. Yamaguchi, “X-ray reciprocal space mapping of dislocation-mediated strain relaxation during InGaAs(001) epitaxial growth”,J. Appl. Phys. Vol. 110,
pp. 113502(2011)
学会活動 ・日本応用物理学会会員
・日本結晶成長学会会員
・Photonics and Optoelectronics Meeting Program committee
・日本学術振興会175委員会幹事
・日本学術振興会145委員会委員
・WCPEC Program committee
・EUPVSEC Program committee
・RE2014 Program committee
社会活動(研究に関する学会活動以外)  
学内運営(委員会活動等)  
担当授業科目 学部: 
修士: 
作成した教科書(教材・参考書等) 太陽電池の基礎と応用(丸善)(2010年7月) 
その他

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