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半導体
教授 大下祥雄

掲載年度

2019

個別研究テーマ
(日本語)

次世代ULSI作製プロセスに関する研究(Future ULSI Device Materials and Technologies)

個別研究テーマ
(英語)

研究者 大下祥雄
小椋厚志(明治大学)
町田英明(東京大学、気相成長(株))
石川真人(気相成長(株))
研究概要

 次世代の不揮発用メモリ材料候補であるGeSbTeにおいては、非晶質と結晶間の相転移による抵抗変化を用いてメモリ動作を実現している。将来のより微細構造を有したデバイスに本材料を使用するためには、気相成長法による本膜の堆積が不可欠である。しかし、これまでに気相成長法に有用な原料系は明らかになっていない。そこで、反応解析を進めながら、原料の探索を行っている。一方、本材料に窒素を添加すると、メモリ材料に要求される長期安定性が改善される報告がある。しかし、その理由は明らかではない。そこで、放射光を用いたXAFSなどの方法により、本材料中における化学結合状態を明らかにし、窒素がGST材料特性に与える影響を調べている。

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