個別研究テーマ編集

半導体
教授 大下祥雄

掲載年度

2020

個別研究テーマ
(日本語)

化合物半導体太陽電池に関する研究(Super-High Efficiency III-V Compound Multi-Junction Solar Cells)

個別研究テーマ
(英語)

研究者 大下祥雄
小島信晃
山口真史
荒木建次
研究概要

 化合物半導体は、多様な材料を目的に応じて選択して任意のバンド・プロファイルを持つ太陽電池を設計可能であり、多接合構造や多重量子井戸構造による超高効率太陽電池などが実現できる。当研究室では、これら多種の化合物半導体太陽電池の評価・解析、新材料探索を行なっている。
 変換効率45%以上が期待できる4接合用新材料として,InGaAsN材料のCBE(Chemical Beam Epitaxy)法による高品質成膜と物性・欠陥評価に関する研究を行っている。また、格子不整合系多接合構造における転位挙動の解析と転位密度低減に関する研究や、Si基板上III-V族化合物成長に関する研究を行っている。
 シャープ社との共同研究の成果として、InGaP/GaAs/InGaAs3接合セルで変換効率37.7%(非集光)、44.4%(集光)を達成している。

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