個別研究テーマ編集

量子界面物性
教授 神谷格

掲載年度

2019

個別研究テーマ
(日本語)

GaAsにおける長波長発光欠陥の生成機構解明と制御

個別研究テーマ
(英語)

Identification of the genration mechanisms of long wavelegnth-emitting defects in GaAs and their control

研究者 神谷格
研究概要

エピタキシャル成長に用いられる GaAs 基板は、種々の近赤外発光源となる欠陥を含む。 我々の検討では、基板自身に含まれるものの他、その初期処理により種々の欠陥が生成されることなどが分かってきた。 これらの起源や制御法を解明し、赤外線発光素子やアップコンバージョン素子への応用を目指す。

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