個別研究テーマ編集

量子界面物性
教授 神谷格

掲載年度

2019

個別研究テーマ
(日本語)

SML成長法を用いたInGaAs系長波長蛍光体の開拓

個別研究テーマ
(英語)

Development of InGaAs-based long wavelength-emitter by SML growth

研究者 神谷格
研究概要

MBE による SML 成長法を用い InGaAs 系量子構造を作製し、その長波長(1.0~2.0 micron)発光の実現を目指すと共に、その波長制御・機構を行っている。

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