個別研究テーマ編集

量子界面物性
教授 神谷格

掲載年度

2019

個別研究テーマ
(日本語)

エピタキシャル結晶成長とその機構解明(Epitaxial crystal growth and its mechanisms)

個別研究テーマ
(英語)

研究者 神谷格
研究概要

分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy)と液相合成法を用いて、半導体を中心としたナノ構造の作製を行い、物性研究を行っている。 その過程で、結晶の成長機構の基礎的な理解を深め、構造体作製の制御を行う他、新規の構造作製法を探っている。
 具体的には
(1)MBEによる半導体量子井戸構造
(2)MBEによる自己形成量子ドット
(3)MBE-金属蒸着によるナノ電極利用のナノ電子素子
(4)コロイダル半導体量子ドット
等が対象。MBE作製によるInAs量子ドットの歪・相互拡散とその電子物性を検討。

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