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電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度

2019

個別研究テーマ
(日本語)

超低消費電力半導体デバイスとシステムの研究(Research on ultra-low power consumption semiconductor devices and systems)

個別研究テーマ
(英語)

研究者 岩田直高
研究概要

 化合物半導体ナノ構造やヘテロ構造の研究、それらのデバイスへの適用、さらに回路やシステム化技術との融合を総合的に検討し、持続可能な省エネルギー社会の構築に寄与する超低消費電力半導体デバイスとシステム応用の研究を進めている。
 特に電力制御システム向けに、GaN系のヘテロ構造を用いたパワーデバイスの研究開発を進めている。具体的には、SiおよびGaN基板上への縦型GaNデバイスの実現を目指している。これに向けて、アクセプタ不純物のドーピングと活性化、有機金属気層成長法によるヘテロ構造エピタキシャルウエハとエッチング技術を組み合わせたパワートランジスタ作製技術の研究を進めている。また、整流回路に用いるオン電圧とオン抵抗が低く、耐圧の高いダイオードの開発も進めている。

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