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電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度

2019

個別研究テーマ
(日本語)

化合物半導体ヘテロ接合デバイスの研究(Research on compound semiconductor heterojunction devices)

個別研究テーマ
(英語)

研究者 岩田直高
研究概要

 Siデバイスの性能を凌駕する安価な半導体デバイスが求められている。これらの課題を解決するため、高速かつ高効率動作が可能で耐圧特性に勝る化合物半導体デバイス、特に電力制御用やミリ波・マイクロ波帯用のパワートランジスタを実現する研究を進めている。
 具体的には、GaNを用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)や縦型トランジスタの研究を進めている。GaN HEMTの研究では、接触抵抗の低いオーミック電極と原子層堆積法を用いて表面を安定化する保護膜の形成技術を開発した。加えて、選択ドライエッチングで加工したp型GaNをHEMTのゲートに適用して、ノーマリオフ動作を実現した。一方、縦型トランジスタの実現には低抵抗なp型GaN層が必須であり、レーザー照射によるアクセプタ不純物の活性化を高める研究を進めている。今後は、GaNデバイスが物性から期待されている特性を実現できるよう、より低ダメージな作製プロセスの研究開発とGaN基板上のパワートランジスタの実現を図る。

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