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物質工学分野
研究室名
量子界面物性
研究室スタッフ
神谷格（教授）
ロネル クリスチャン インタル ロカ（助教）
研究室概略
量子構造の表面・界面の電子物性の研究
研究室紹介
量子構造の表面・界面の光・電子・化学物性の基礎研究・制御・応用
量子ナノ構造を物理的・化学的に作製し、その表面・界面における電子的な挙動の基礎研究を行っている。
応用として、光・電子・化学的な機能の制御と新たな機能創出を目指している。特に電子物理と化学の境界領域に焦点を当てた研究に取り組んでいる。
主な研究テーマ
・量子構造表面界面の光・電子物性
・III-V族半導体のエピタキシャル結晶成長機構
・コロイダル半導体ナノ粒子の合成と物性
・可視光応答光触媒の開発
研究室HP
http://www.toyota-ti.ac.jp/Lab/Zairyo/QIL-Website/Home-J.html
個別研究テーマ
テーマ
研究者
SML成長法を用いたInGaAs系長波長蛍光体の開拓(Development of InGaAs-based long wavelength-emitter by SML growth)
神谷格
InAs量子構造を用いた光アップコンバージョン（Photon upconversion using InAs quantum structures）
神谷格
半導体界面の基礎電子物性（Fundamental studies of semiconductor interfaces）
神谷格
エピタキシャル結晶成長とその機構解明（Epitaxial crystal growth and its mechanisms）
神谷格
太陽電池の作製と基礎物性（Preparation and properties of solar cells）
神谷格
機能性ナノ薄膜の作製と物性(Preparation of functional thin films and their properties)
神谷格
液相結晶成長とその機構解明（Colloidal crystal growth and its mechanisms）
神谷格
太陽電池応用へ向けたSi-金属界面の検討（Si-metal interface studies for solar cell applications）
神谷格
GaAsにおける長波長発光欠陥の生成機構解明と制御(Identification of the genration mechanisms of long wavelegnth-emitting defects in GaAs and their control)
神谷格
酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体量子構造のパッシベーションと被覆(Passivation-capping of III-V semiconductor quantum structures by oxides)
神谷格
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